نانو مواد صفر بعدی از سه جهت محدود هستند و درجه آزادی برای ذرات ندارند. نقاط کوانتمی نامی است که به این نانوساختار الحاق شده است. در این نوع از سیستمهای کوانتمی، الکترونها و حفرهها در تمام راستاهای فضایی محدود میباشند. نقطههای کوانتمی یا ساختارهای صفر بعدی، یکی از ساختارهای بسیار ریز است که کاربردهای فراوانی به عنوان لیزرهای نیمرسانا، حسابگرهای کوانتمی، اجزای اصلی آشکارسازهای مادونقرمز، ترانزیستورهای تک الکترونی و … دارند.
نقاط کوانتمی به دلیل عدم پیروی از قوانین فیزیک کلاسیک، اثرات اندازه کوانتمی را از خود نشان میدهند. در این محدوده ابعادی، با کوچکتر شدن اندازه ذرات فاصله میان سطوح انرژی اتمی افزایش مییابد و این پدیده موجب ظهور خواص نوری و الکتریکی شگفتآوری در این نانوساختارها می شود. از نظر تاریخی، کشف نقطههای کوانتمی به سال ۱۹۳۲ باز میگردد. در این سال روکسبای[۲۵] رنگ قرمز و زرد مشاهده شده در شیشههای سیلیکاتی را به ساختارهای کوانتمی درون آنها نسبت داد[۱۷]. پس از آن در سال ۱۹۸۵ مشاهده شد که تغییرات در رنگ، به ترازهای انرژی ناشی از محدودیت کوانتمی نقطههای کوانتمی وابسته میباشد. از آن زمان به بعد، با پیشرفت فناوری باریکه مولکولی به عنوان یک فناوری برتر در زمینه رشد نقطههای کوانتمی در مواد مختلف، پژوهشهای آزمایشگاهی بر نقطههای کوانتمی به طور چشمگیری افزایش یافت[۲۰-۱۸]. در کنار پیشرفتها و پژوهشهای آزمایشگاهی، ایساکی[۲۶] و تسو[۲۷] در سال ۱۹۷۰ مفاهیم نظری نقطههای کوانتمی را برای اولین بار ارائه نمودند[۲۱].
نقاط کوانتمی، نانوساختارهای ساخته دست انسان هستند که ناحیهای از چند نانومتر تا چند صد نانومتر را شامل می شود. مانند یک اتم، ترازهای انرژی الکترونها در نقاط کوانتمی گسسته میباشد، از اینرو نقاط کوانتمی را معمولاً اتمهای مصنوعی مینامند. البته یکی از تفاوتهای عمده نقطههای کوانتمی با اتمها در این است که در نقطههای کوانتمی تعداد الکترونها یا حفرهها قابل تنظیم است. گسستگی ترازهای انرژی نقطههای کوانتمی منشأ خصوصیات بسیار جالبی است که موجب شده از این سیستمها در ساخت وسایل اپتیکی استفاده شود[۲۳و۲۲]. در شکل ۱-۴ ساختار یک چاه، سیم و نقطه کوانتمی نشان داده شده است.
شکل ۱-۴: ساختار چاه، سیم و نقطه کوانتمی
همانطونه از شکل بالا مشخص شده است, چاه کوانتمی در یک بعد، سیم کوانتمی در دو بعد و نقطه کوانتمی در سه بعد فضا محدودیت دارند.
فصل دوم:
پراکندگی رامان در نانو ساختارهای نیمرسانا
پراکندگی نور زمانی اتفاق میافتد که موج الکترومغناطیس به مانع برخورد کند. مادهای که از آن پراکندگی صورت میگیرد می تواند مایع، جامد و یا گاز باشد. در برخورد موج الکترومغناطیس با ماده، مدارهای الکترونی مولکولهای تشکیل دهنده ماده با همان فرکانس اولیه که همان فرکانس میدان الکتریکی است به طور دورهای آشفته میشوند. این نوسانات یا آشفتگیهای الکترونی، دوقطبیهای لحظهای را در محیط به وجود می آورد. نوسانات دوقطبی لحظهای بهعنوان چشمهای از تابش الکترومغناطیس، نتیجهاش پراکندگی نور است، بیشتر نور پراکنده شده با فرکانس یکسان از نور فرودی گسیل می شود که این فرایند به یک پراکندگی کشسان نسبت داده می شود. پراکندگی رامان نمونهای از پراکندگی غیرکشسان است[۲۴]. به طور خلاصه، نظریه پراکندگی نور را بهعنوان یک برخورد پیچیده بین موج فرودی و ساختار مولکولها یا اتمهای ماده در نظر میگیرند.
۲-۱ سطح مقطع پراکندگی رامان
سطح مقطع دیفرانسیلی برای پراکندگی رامان در یک حجم در واحد زاویه فضایی برای نور فرودی با فرکانس و نور پراکنده شده با فرکانس به صورت زیر است[۲۵] :
(۲-۱ )
که به عنوان ضریب شکست و بردار یکه قطبش برای تابش گسیلی ثانویه است. سرعت نور در خلأ و آهنگ گذار برای تابش گسیلی ثانویه با فرکانس و قطبش بوده و مطابق قاعده طلایی فرمی به صورت زیر است:
(۲-۲)
که برای فرایند پراکندگی رامان بدون در نظر گرفتن فونونها داریم
(۲-۳)
بهترتیب معرف الکترون و حفره است. در معادله (۲-۳) ، و بهترتیب حالتهای ابتدایی و نهایی سیستم بوده که با انرژیهای و مشخص شده اند. و حالتهای میانی با انرژیها و است، و طول عمر این حالتها میباشند. عملگر برهمکنش نور فرودی با ماده را توصیف نموده و عبارت است از:
(۲-۴)
که جرم الکترون آزاد است. این عملگر برهمکنش ماده با میدان تابشی فرودی را در تقریب دوقطبی الکتریکی توصیف می کند. برهمکنش با میدان تابشی ثانویه بوسیله عملگر زیر توصیف می شود:
(۲-۵)
در حالت ابتدایی، حالت اولیه کاملاً اشغال شده و تراز نهایی بالاتر اشغال نشده و انرژی فوتون فرودی است. بنابراین
(۲-۶)
در آخر سیستم در حالت نهایی بوده و فوتونی با انرژی گسیل میشود. بنابراین، انرژی نهایی سیستم به صورت زیر نتیجه میشود
(۲-۷)
با توجه به قانون بقای انرژی، مخرج رابطه (۲-۳) را میتوان به صورت زیر ساده نمود[۲۶]:
(۲-۸)
با توجه به روابط بالا، جهت محاسبه سطح مقطع دیفرانسیلی در یک سیستم می بایست ویژه حالتها و ویژه مقدارهای انرژی سیستم را داشته باشیم. در ادامه به بررسی پراکندگی رامان در سارختارهای کوانتمی یک و دو بعدی میپردازیم.
۲-۲ سطح مقطع دیفرانسیلی پراکندگی چاه کوانتمی
برای محاسبه سطح مقطع پراکندگی میبایست ابتدا ویژه مقدارها و ویژه حالتهای انرژی سیستم را بدست آوریم. از این روی، با توجه به معادله شرودینگر مستقل از زمان برای الکترون محبوس در چاه کوانتمی داریم
(۲-۹)
که در آن پتانسیل محدودیت کوانتمی بوده به طوریکه
(۲-۱۰)
در تقریب تابع پوشا تابع موج سیستم را میتوان به شکل زیر نوشت
( ۲-۱۱)
حال با بهره گرفتن از روش جداسازی متغیرها، ویژه حالتهای انرژی به صورت زیر نتیجه میشوند
(۲-۱۲)
در رابطه بالا و میباشد. علاوه براین، داریم
(۲-۱۳)
(۲-۱۴)
(۲-۱۵)
(۲-۱۶)
از طرفی ویژه مقدارهای انرژی نتیجه میشوند
(۲-۱۷)
که الکترون یا حفره است، صفرهای رابطه (۲-۱۶) را نشان داده و ارتفاع پتانسیل دیواره را بیان می کند. جرم مؤثر الکترون یا حفره در نانوساختارها است، حجم بوده و تابع بلاخ[۲۸] را در نشان میدهد. علامت به معنی عمود بر محور تقارن است. با توجه به رابطه (۲-۱۷) ملاحظه میشود که نوارهای انرژی به مجموعه ای از زیر نوارها تجزیه میشود.
۲-۲-۱ شدت پراکندگی رامان
با بهره گرفتن از رابطههای (۲-۱۱) و (۲-۴) میتوانیم عناصر ماتریسی زیر را بهدست آوریم
(۲-۱۸)
که در آن است و
(۲-۱۹)
از طرفی باید توجه داشت که:
الف) بلور دارای حجم بوده که در آن به ترتیب و سلولهای واحد و حجم آنها میباشند.
ب) تابع تابع تند تغییر در حالیکه تابع کند تغییر در حجم مورد نظر میباشد.
پس با توجه به دو نکته بالا معادله (۲-۱۸) بهصورت زیر ساده میشود:
(۲-۲۰)
با توجه به تعامد توابع بلوخ جمله اول سمت چپ رابطه بالا صفر میشود. حال گشتاور دوقطبی بین نوارهای ظرفیت و هدایت را بهصورت زیر تعریف میکنیم
(۲-۲۱)